نوقشت رسالة الماجستير الموسومة:
” تصميم ومحاكاة مكبر قليل الضوضاء باستخدام تقنية ال CMOS مُحَسَّن معامل الخطية”
التي اعدها السيد فاروق عبد الغفور خليل، طالب الماجستير في قسم الهندسة الكهربائية – كلية الهندسة / جامعة بغداد كجزء من متطلبات نيل درجة الماجستير في علوم الهندسة الكهربائية وبإشراف الاستاذ المساعد الدكتور محمد ناظم عباس يوم الخميس المصادف 22/6/2017.تكونت لجنة المناقشة لهذه الرسالة من الاستاذ المساعد الدكتور جابر سلمان عزيز رئيساُ وعضوية الاستاذ المساعد الدكتور عضيد حسين سلومي والمدرس الدكتور اسماعيل شنان دشر.
خلاصة رسالة الطالب كما يلي:
إنَّ التطبيقات الحديثة اللاسلكية الجديدة المتزايدة والقنوات المخصصة لكل تطبيق تجعل الطيف الترددي مزدحم. يحتاج الطيف الترددي المزدحم الى مستقبلات التردد الراديوي عالية الخطية قابلة لاكتشاف وتمييز التطبيقات المختلفة بالاضافة الى القنوات المختلفة لنفس التطبيق. إنَّ مقياس معامل الخطية للمكبر قليل الضوضاء، والذي هو نقطة تقاطع الإدخال ذي المرتبة الاولى مع المرتبة الثالثة، يحتاج الى تحسين اضافي لتعزيز القابلية على كشف الاشارات الضعيفة والتمييز بين المشوشات في التطيف الترددي.
إنَّ كل طريقة من الطرق الحالية لتحسين معامل خطية المكبر قليل الضوضاء يتضمن التضحية بواحد او اثنين من مواصفات المكبر قليل الضوضاء. هذه الاطروحة تقدم تاثير تعديل ثلاث تصاميم مقترحة على تحسين معامل خطية المكبر قليل الضوضاء.
إنَّ التصميم المقترح الاول للمكبر قليل الضوضاء يمزج بين نظريات تقويم الخطية (التراكب المشتق المعدل والارجاع الفعال) لمستقبلات التردد 5.8 كيكاهرتز الداعمة لبروتوكول a802.11. هذه الطريقة توفر امكانية التناغم بين استهلاك القدرة وتحسين معامل الخطية حسب طبيعة العمل المرغوبة.
إنَّ التصميم المقترح الثاني للمكبر قليل الضوضاء يستعمل دائرة الغاء التشويه بعد دائرة المكبر قليل الضوضاء ذي التيار المعاد لتحسين معامل خطية مستقبلات التردد 5.8 كيكاهرتز لبروتوكول a802.11. هذه الطريقة تقلل من استهلاك القدرة للطريقة الاولى وتحافظ على مواصفات المكبر قليل الضوضاء ذي التيار المعاد، مثل استهلاك القدرة القليل، رقم الضوضاء القليل والكسب العالي.
إنَّ التصميم المقترح الثالث للمكبر قليل الضوضاء هو لمستقبلات الواي فاي وبروتوكول ad802.11 ذي الحزمة V (60 كيكا هرتز) والتي تعمل بمعدل نقل بيانات 7 كيكابت لكل ثانية باستعمال الحمل الامثل لتحسين معامل الخطية.
تم استعمال برنامج نظام التصميم المتقدم (ADS) للتحقق من نتائج تصاميم المكبر قليل الضوضاء المقترحة.
إنَّ التصميم الاول للمكبر قليل الضوضاء يحقق تحسين لمعامل الخطية من 1.8 دي بي أم (التصميم التقليدي) لغاية 21.5 دي بي أم (التصميم المقترح)، كسب 9.43 دي بي، 28.4 ملي واط قدرة مستهلكة مجهزة من مصدر فولطية 1.8 فولط، و اقل رقم للضوضاء 2.4 دي بي.
إنَّ التصميم الثاني للمكبر قليل الضوضاء يحقق تحسين لمعامل الخطية من -11 دي بي أم (التصميم التقليدي) الى 0 دي بي أم (التصميم المقترح) لمكبر قليل الضوضاء ذي التيار المعاد، كسب 11.887 دي بي، 1.6 ملي واط قدرة مستهلكة مجهزة مصدر فولطية 1 فولط، و اقل رقم للضوضاء 1.36 دي بي.
إنَّ التصميم الثالث للمكبر قليل الضوضاء يحقق تحسين لمعامل الخطية من -6 دي بي أم (التصميم التقليدي) الى 0.6 دي بي أم (التصميم المقترح)، كسب 3.5 دي بي، 2.05 ملي واط قدرة مستهلكة مع دائرة الانحياز مجهزة من مصدر فولطية 1.8 فولط، والتي تعتبر الافضل مقارنة مع اخر بحوث مستقبلات النطاق V، و 6.8 دي بي اقل رقم للضوضاء.
تم تنفيذ المحاكاة باستخدام ملفات تمثيل ال CMOS ذات القياس 180 نانومتر التابعة لشركة شبه الموصلات التايوانية.
